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HAT1023R 参数 Datasheet PDF下载

HAT1023R图片预览
型号: HAT1023R
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内容描述: 硅P沟道功率MOSFET高速电源开关 [Silicon P Channel Power MOSFET High Speed Power Switching]
分类和应用: 晶体开关晶体管脉冲电源开关光电二极管
文件页数/大小: 7 页 / 89 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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HAT1023R
主要特点
功率与温度降额
4.0
最高安全工作区
–100
–30
10
µs
P沟(W)的
I
D
(A)
测试条件:
当使用玻璃环氧基板
( FR4 40
×
40
×
1.6毫米) , PW
10 s
100
µs
PW
1m
=
3.0
–10
–3
–1
–0.3
–0.1
s
散热通道
2.0
1.0
漏电流
10
Op
ms
ERA
TIO
n(
PW
No
1
TE 4
操作
0s
这个区域是
)
限于由R
DS ( ON)
DC
0
0
50
100
150
200
-0.03 TA = 25℃
1次脉冲
–0.01
–1
–0.1 –0.3
–3
–10
–30
–100
环境温度
的Ta (℃)
漏极至源极电压V
DS
(V)
注4 :
当使用玻璃环氧基板
( FR4 40
×
40
×
1.6 mm)
典型的输出特性
–10 V –5 V
–20
–4 V
–20
–2.5 V
典型的传输特性
TC = -25°C
I
D
(A)
I
D
(A)
–16
–3.5 V
–3 V
脉冲测试
–16
25°C
75°C
–12
–12
–2 V
漏电流
–8
漏电流
–8
–4
V
GS
= –1.5 V
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
–4
V
DS
= –10 V
脉冲测试
0
0
–1
–2
–3
–4
–5
漏源极电压
V
DS
(V)
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
漏极至源极导通电阻
R
DS ( ON)
(Ω)
漏极至源极饱和电压
V
DS ( ON)
(V)
–0.5
脉冲测试
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
0.5
脉冲测试
0.2
0.1
0.05
V
GS
= –2.5 V
–0.4
–0.3
–0.2
I
D
= –5 A
–0.1
–2 A
0
–1 A
0.02
0.01
0.005
–0.2
–4 V
0
–2
–4
–6
–8
–10
–0.5
–1
–2
–5
–10
–20
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏电流
I
D
(A)
Rev.9.00 2005年9月7日第3页6