HAT1020R-EL-E 参数 Datasheet PDF下载

型号：	HAT1020R-EL-E
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内容描述：	硅P沟道功率MOSFET高速电源开关 [Silicon P Channel Power MOSFET High Speed Power Switching]
分类和应用：	晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关光电二极管
文件页数/大小：	7 页 / 89 K
品牌：	RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]

HAT1020R

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

正向转移导纳主场迎战

漏电流

静态漏极至源极通态电阻

DS （ ON）

(Ω)

正向转移导纳| YFS | （ S）

0.20

脉冲测试

0.16

= –5 A

= –4 V

0.08

–2 A, –1 A

25°C

0.5

= –10 V

脉冲测试

0.2

–0.2

–0.5

–1

–2

–5

–10 –20

75°C

TC = -25°C

0.12

0.04

–10 V

–40

–5 A, –2 A, –1 A

120

160

外壳温度

TC （ ℃）

漏电流I

(A)

典型的电容比。

漏源极电压

10000

3000

1000

300

CRSS

100

西塞

科斯

体漏二极管的反向

恢复时间

500

反向恢复时间trr （ NS ）

100

–0.2

的di / dt = 20A /

µs

= 0 ， TA = 25℃

–0.5

–1

–2

–5

–10 –20

电容C （PF ）

200

= 0

F = 1 MHz的

–10

–20

–30

–40

–50

反向漏电流

(A)

漏极至源极电压V

(V)

动态输入特性

开关特性

(V)

–4

开关时间t（ NS ）

–10

= –5 V

–10 V

–25 V

(V)

500

200

100

漏源极电压

栅极至源极电压

–20

= –25 V

–10 V

–5 V

= –5 A

–8

TD （关闭）

TD （上）

–30

–12

10 V = –4 V, V = –10 V

PW = 3

µs,

税

≤

1 %

–0.1 –0.2

–0.5 –1

–2

–40

–16

–50

–20

–5

–10

栅极电荷

QG （ NC ）

漏电流

(A)

Rev.10.00 2005年9月7日第4 6

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