HAT1020R-EL-E 参数 Datasheet PDF下载

型号：	HAT1020R-EL-E
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内容描述：	硅P沟道功率MOSFET高速电源开关 [Silicon P Channel Power MOSFET High Speed Power Switching]
分类和应用：	晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关光电二极管
文件页数/大小：	7 页 / 89 K
品牌：	RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]

HAT1020R

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

符号

DSS

GSS

D（脉冲）

注1

价值

–30

±20

–5

–40

–5

2.5

150

单位

°C

PCH

总胆固醇

注2

储存温度

TSTG

-55到+150

注意事项： 1， PW

≤

µs,

占空比

≤

2.当使用玻璃环氧板（ FR4 40

1.6毫米）， PW

≤

10 s

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

栅源击穿电压

门源漏电流

零栅极电压漏极电流

门源截止电压

静态漏极至源极通态电阻

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向电压

体漏二极管的反向恢复时间

注意：

3.脉冲测试

符号

（ BR ） DSS

（ BR ） GSS

GSS

DSS

GS （关闭）

DS （ ON）

西塞

科斯

CRSS

D（上）

D（关闭）

民

–30

±20

—

–1.0

—

5.0

—

典型值

—

0.04

0.07

7.5

860

560

165

170

–0.9

最大

—

±10

–10

–2.5

0.07

0.13

—

–1.4

—

单位

µA

Ω

= -5 A ，V

= 0

= -5 A ，V

= 0

/ DT = 20 A / μs的

注3

测试条件

= -10毫安，V

= 0

±100 µA,

= 0

±16

V, V

= 0

= –30 V, V

= 0

= -10 V，I

= -1毫安

= -3 A ，V

= –10 V

注3

= -3 A ，V

= –4 V

= -3 A ，V

= –10 V

= 0

F = 1 MHz的

= -4 V，I

= –3 A,

≅

–10 V

注3

Rev.10.00 2005年9月7日第2 6

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