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FS70UM-2 参数 Datasheet PDF下载

FS70UM-2图片预览
型号: FS70UM-2
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内容描述: 高速开关用N沟道功率MOS FET [High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET]
分类和应用: 晶体开关晶体管功率场效应晶体管局域网
文件页数/大小: 7 页 / 171 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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FS70UM-2
正向转移导纳主场迎战
漏电流(典型值)
正向转移导纳| YFS | ( S)
10
2
7
5
4
3
2
10
1
7
5
4
3
2
10
0 0
10
2 3 4 5 7 10
1
2 3 4 5 7 10
2
T
C
= 25°C
75°C
125°C
传输特性(典型)
100
漏电流I
D
(A)
80
TC = 25°C
V
DS
= 10V
脉冲测试
V
DS
= 10V
脉冲测试
60
40
20
0
0
4
8
12
16
20
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
电容与
漏源极电压(典型值)
2
10
5
7
5
3
2
10
4
7
5
3
2
10
3
7
5
3
2
漏电流I
D
(A)
开关特性(典型)
10
3
7
5
4
3
2
10
2
7
5
4
3
2
t
D(上)
t
f
t
r
电容C (PF )
西塞
切换时间(纳秒)
TCH = 25°C
F = 1MHz的
V
GS
= 0V
t
D(关闭)
科斯
CRSS
TCH = 25°C
V
DD
= 50V
V
GS
= 10V
RGEN = RGS = 50Ω
3
5 710
0
2 3
5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2 3
10
1 0
10
2 3 4 5 7 10
1
2 3 4 5 7 10
2
漏源电压V
DS
(V)
栅源电压与
栅极电荷(典型值)
20
100
漏电流I
D
(A)
源极 - 漏极二极管的正向
特性(典型值)
V
GS
= 0V
脉冲测试
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
16
源电流我
S
(A)
TCH = 25°C
I
D
= 70A
80
12
V
DS
= 20V
60
TC = 125°C
8
50V
80V
40
75°C
25°C
4
20
0
0
40
80
120
160
200
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
栅极电荷Qg ( NC )
源极 - 漏极电压V
SD
(V)
Rev.2.00
2006年8月7日
第4 6