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FS70UM-2 参数 Datasheet PDF下载

FS70UM-2图片预览
型号: FS70UM-2
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内容描述: 高速开关用N沟道功率MOS FET [High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET]
分类和应用: 晶体开关晶体管功率场效应晶体管局域网
文件页数/大小: 7 页 / 171 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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FS70UM-2
性能曲线
功耗降额曲线
200
3
2
最大安全工作区
TW = 10微秒
功耗P
D
(W)
漏电流I
D
(A)
160
120
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
10
0
7
5
3
100µs
1ms
80
40
TC = 25°C
单脉冲
DC
0
0
50
100
150
200
3 5 7 10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2 3
壳温度( ° C)
漏源电压V
DS
(V)
输出特性(典型)
100
V
GS
= 20V 10V 8V
输出特性(典型)
50
V
GS
= 20V 10V 8V 6V
TC = 25°C
脉冲测试
6V
TC = 25°C
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
80
40
5V
60
P
D
= 125W
30
40
5V
20
20
10
4V
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
漏源电压V
DS
(V)
漏源电压V
DS
(V)
漏源通态电压V
DS ( ON)
(V)
漏源通态电阻R
DS ( ON)
(mΩ)
导通电压VS.
栅源电压(典型值)
2.0
TC = 25°C
脉冲测试
通态电阻VS.
漏电流(典型值)
20
TC = 25°C
脉冲测试
16
V
GS
= 10V
20V
1.6
1.2
100A
70A
12
0.8
8
0.4
30A
4
0
0
0
4
8
12
16
20
3 5 7 10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2 3
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
Rev.2.00
2006年8月7日
第3页6