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FS10KM-12A 参数 Datasheet PDF下载

FS10KM-12A图片预览
型号: FS10KM-12A
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内容描述: 三菱N沟道功率MOSFET [MITSUBISHI Nch POWER MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 5 页 / 88 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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三菱N沟道功率MOSFET
FS10KM-12A
高速开关使用
栅源电压
VS.栅极电荷
(典型值)
源极 - 漏极二极管
正向特性
(典型值)
40
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
20
16
源电流我
S
(A)
V
DS
=
100V,200V,400V
32
T
C
=
25°C
75°C
12
24
125°C
8
16
4
T
C
H = 25℃
I
D
= 10A
8
V
GS
= 0V
脉冲测试
0
0
20
40
60
80
100
0
0
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
栅极电荷q
g
( NC )
源极 - 漏极电压V
SD
(V)
漏源通态电阻R
DS ( ON)
(25°C)
漏源通态电阻R
DS ( ON)
(T ° C)
通态电阻VS.
通道温度
(典型值)
10
1
V
GS
= 10V
7
I
D
= 5A
5
脉冲测试
3
2
阈值电压 -
通道温度
(典型值)
5.0
V
DS
= 10V
I
D
= 1毫安
门极 - 源
电压V
GS ( TH)
(V)
0
50
100
150
4.0
3.0
10
0
7
5
3
2
2.0
1.0
10
–1
–50
0
–50
0
50
100
150
沟道温度Tch ( ° C)
沟道温度Tch ( ° C)
漏源击穿电压V
( BR ) DSS
(25°C)
瞬态热阻抗Z
TH( CH-C )
( ° C / W)
漏源击穿电压V
( BR ) DSS
(T ° C)
击穿电压VS.
通道温度
(典型值)
1.4
V
GS
= 0V
I
D
= 1毫安
瞬态热阻抗
特征
10
1
7
5 D = 1.0
3 = 0.5
2
1.2
10
0
= 0.2
7
5 = 0.1
3 = 0.05
2 = 0.02
1.0
0.8
P
DM
= 0.01
tw
T
D
=
tw
T
10
–1
7
5
3
2
0.6
单脉冲
0.4
–50
0
50
100
150
10
–2 –4
10
2 3 5 7
10
–3
2 3 5 7
10
–2
2 3 5 7
10
–1
2 3 5 7
10
0
2 3 5 7
10
1
2 3 5 7
10
2
脉冲宽度t
w
(s)
沟道温度Tch ( ° C)
2001年9月