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    FS10KM-12A 参数 Datasheet PDF下载

    FS10KM-12A图片预览
    型号： FS10KM-12A
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 三菱N沟道功率MOSFET [MITSUBISHI Nch POWER MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
    文件页数/大小： 5 页 / 88 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号FS10KM-12A的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FS10KM-12A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FS10KM-12A的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FS10KM-12A的Datasheet PDF文件第5页  
    三菱N沟道功率MOSFET
    FS10KM-12A
    高速开关使用
    电气特性
    符号
    V
    （ BR ） DSS
    V
    （ BR ） GSS
    I
    GSS
    I
    DSS
    V
    GS （ TH）
    r
    DS （ ON）
    V
    DS （ ON）
    y
    fs
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    V
    SD
    R
    TH（ CH-C ）
    参数
    （总胆固醇= 25 ℃）下
    测试条件
    I
    D
    = 1mA时， V
    GS
    = 0V
    I
    GS
    =
    ±100µA,
    V
    DS
    = 0V
    V
    GS
    =
    ±25V,
    V
    DS
    = 0V
    V
    DS
    = 600V, V
    GS
    = 0V
    I
    D
    = 1mA时， V
    DS
    = 10V
    I
    D
    = 5A ，V
    GS
    = 10V
    I
    D
    = 5A ，V
    GS
    = 10V
    I
    D
    = 5A ，V
    DS
    = 10V
    V
    DS
    = 25V, V
    GS
    = 0V ， F = 1MHz的
    范围
    分钟。
    600
    ±30
    —
    —
    2.5
    —
    —
    6.0
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    典型值。
    —
    —
    —
    —
    3.0
    0.72
    3.60
    10.0
    1500
    130
    35
    25
    35
    190
    50
    1.5
    —
    马克斯。
    —
    —
    ±10
    1
    3.5
    0.94
    4.70
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    2.0
    3.57
    单位
    V
    V
    µA
    mA
    V
    Ω
    V
    S
    pF
    pF
    pF
    ns
    ns
    ns
    ns
    V
    ° C / W
    漏源击穿电压
    栅源击穿电压
    栅极 - 源极漏电流
    漏极 - 源极漏电流
    门源阈值电压
    漏源导通电阻
    漏源通态电压
    正向转移导纳
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    源 - 漏电压
    热阻
    V
    DD
    = 200V ，我
    D
    = 5A ，V
    GS
    = 10V ，R
    根
    = R
    GS
    = 50Ω
    I
    S
    = 5A ，V
    GS
    = 0V
    渠道情况
    性能曲线
    功耗降额曲线
    50
    功耗P
    D
    (W)
    漏电流I
    D
    (A)
    最大安全工作区
    7
    5
    3
    2
    40
    10
    1
    7
    5
    3
    2
    7
    5
    3
    2
    TW =
    10µs
    100µs
    1ms
    10
    ms
    30
    10
    0
    T
    C
    = 25°C
    单脉冲
    20
    10
    10
    –1
    7
    5
    3
    2
    DC
    2 3
    5 7
    10
    1
    2 3
    5 7
    10
    2
    2 3
    5 7
    0
    0
    50
    100
    150
    200
    案例温度T
    C
    (°C)
    漏源电压V
    DS
    (V)
    输出特性
    （典型值）
    20
    V
    GS
    = 20V,10V,8V
    6V
    输出特性
    （典型值）
    10
    V
    GS
    = 20V,10V,8V,6V
    漏电流I
    D
    (A)
    16
    漏电流I
    D
    (A)
    T
    C
    = 25°C
    脉冲测试
    8
    5V
    12
    5V
    6
    8
    4
    P
    D
    = 35W
    4
    P
    D
    = 35W
    2
    T
    C
    = 25°C
    脉冲测试
    0
    0
    10
    20
    30
    40
    50
    0
    0
    4
    8
    12
    16
    20
    漏源电压V
    DS
    (V)
    漏源电压V
    DS
    (V)
    2001年9月

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