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    2SK3081 参数 Datasheet PDF下载

    2SK3081图片预览
    型号： 2SK3081
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N沟道MOS FET高速电源开关 [Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching]
    分类和应用： 晶体开关晶体管功率场效应晶体管电源开关局域网
    文件页数/大小： 7 页 / 988 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号2SK3081的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SK3081的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK3081的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SK3081的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SK3081的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SK3081的Datasheet PDF文件第7页  
    2SK3081
    反向漏电流 -
    源极到漏极电压
    (A)
    反向漏电流I
    DR
    100
    10 V
    5V
    60
    V
    GS
    = 0, –5 V
    80
    40
    20
    脉冲测试
    0
    0.4
    0.8
    1.2
    1.6
    2.0
    源极到漏极电压
    V
    SD
    (V)
    归瞬态热阻抗与脉冲宽度
    归瞬态热阻抗
    γ
    秒（ t）的
    3
    TC = 25°C
    25
    1
    D=1
    0.5
    0.3
    0.2
    0.1
    0.1
    0.05
    θ
    CH - C （ T） =
    γ
    秒（ t）的
    •
    θ
    CH - C
    θ
    CH - C = 1.67 ° C / W ，TC = 25°C
    PDM
    PW
    T
    0.03
    0.02
    1
    LSE
    0.0
    吨PU
    ho
    1s
    D=
    PW
    T
    0.01
    10
    µ
    100
    µ
    1m
    10 m
    100 m
    1
    10
    脉冲宽度
    开关时间测试电路
    输入电压监视器
    D.U.T.
    R
    L
    V
    DD
    = 30 V
    VOUT
    MONITOR
    PW （S ）
    波形
    90%
    10%
    10%
    10%
    VIN
    VOUT
    VIN
    10 V
    50
    Ω
    90%
    TD （上）
    90%
    TD （关闭）
    tf
    tr
    Rev.4.00 2005年9月7日第5 6

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