欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

2SK3081 参数 Datasheet PDF下载

2SK3081图片预览
型号: 2SK3081
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 硅N沟道MOS FET高速电源开关 [Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching]
分类和应用: 晶体开关晶体管功率场效应晶体管电源开关局域网
文件页数/大小: 7 页 / 988 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
 浏览型号2SK3081的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SK3081的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK3081的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SK3081的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SK3081的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SK3081的Datasheet PDF文件第7页  
2SK3081
主要特点
功率与温度降额
100
1000
300
10
µs
10
0
µ
s
1
P
m
DC
W =
s
Op
10
m
(T ERAT
s
C = IO
操作
25 n
°
C
这个区域是
)
限于由R
DS ( ON)
最高安全工作区
通道耗散P沟(W)的
漏电流I
D
(A)
75
100
30
10
3
1
50
25
0
50
100
150
200
0.3 TA = 25℃
1次脉冲
0.1
0.1 0.3
1
3
10
30
100
案例温度T
C
(°C)
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
10 V 8 V
100
6V
脉冲测试
4.5 V
60
4V
5V
100
典型的传输特性
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
80
80
TC = -25°C
–25
25°C
75°C
60
40
3.5 V
3V
V
GS
= 2.5 V
40
20
20
V
DS
= 10 V
脉冲测试
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
漏极至源极电压V
DS
(V)
漏极至源极饱和电压
与门源电压
栅极至源极电压V
GS
(V)
静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
100
脉冲测试
50
漏极至源极饱和电压
V
DS ( ON)
(V)
1.0
脉冲测试
0.8
0.6
I
D
= 50 A
0.4
20 A
10 A
0
4
8
12
16
20
静态漏极至源极通态电阻
R
DS ( ON)
(mΩ)
20
V
GS
= 4 V
0.2
10
10 V
5
1
2
5
10
20
50
100
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
Rev.4.00 2005年9月7日第3页6