2SK3000 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SK3000
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内容描述：	硅N沟道MOS FET低频电源开关 [Silicon N Channel MOS FET Low Frequency Power Switching]
分类和应用：	晶体开关小信号场效应晶体管电源开关光电二极管
文件页数/大小：	7 页 / 119 K
品牌：	RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]

2SK3000

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

0.5

正向转移导纳主场迎战

漏电流

正向转移导纳| Y

| (S)

静态漏极至源极通态电阻

DS （ ON）

(Ω)

TC = -25°C

75°C

0.5

25°C

0.4

= 0.45 A

0.3

= 4 V

0.45 A

10 V

脉冲测试

120

160

(°C)

0.2

0.1

–40

0.2

0.1

= 10 V

脉冲测试

0.2

0.5 1

漏电流I

(A)

外壳温度

典型的电容比。

漏源极电压

500

200

电容C （PF ）

开关特性

5000

2000

1000

500

吨D（关闭）

= 0

F = 1 MHz的

科斯

100

西塞

开关时间t（ NS ）

200

100

0.05 0.1

吨D（上）

= 4 V, V

= 10 V

PW = 5

µs,

值班< 1 ％

0.2

0.5

漏电流

(A)

CRSS

漏极至源极电压V

(V)

漏极至源极DiodeReverse浪涌

破坏特性

500

反向漏电流I

(A)

反向漏电流 -

源极到漏极电压

10 V

= 0

应用功率Ps （ W）

200

100

0.05 0.1 0.2 0.5 1

TA = 25°C

1次射门

脉冲测试

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

源极到漏极电压

(V)

5 10 20

浪涌脉冲宽度PW （MS ）

Rev.3.00 ， Jun.16.2004 ， 6 4页

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