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型号: 2SK3000
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内容描述: 硅N沟道MOS FET低频电源开关 [Silicon N Channel MOS FET Low Frequency Power Switching]
分类和应用: 晶体开关小信号场效应晶体管电源开关光电二极管
文件页数/大小: 7 页 / 119 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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2SK3000
硅N沟道MOS FET
低频功率开关
REJ03G0379-0300Z
(上ADE - 208-585A ( Z) )
Rev.3.00
Jun.15.2004
特点
低导通电阻
R
DS ( ON)
= 0.16
典型值。 (V
GS
= 10 V,I
D
= 450毫安)
4 V栅极驱动装置。
小型封装( MPAK )
广阔的漏极到源极的浪涌功率能力
概要
MPAK
D
3
3
2
G
1
1
1.源
2.门
3.排水
2
S
注:标记为“ ZY- ” 。
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
反向漏电流
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)Note1
I
DR
评级
40
±10
1.0
4.0
1.0
400
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
mW
°C
°C
散热通道
PCH
Note2
通道温度
总胆固醇
储存温度
TSTG
注意事项: 1, PW
10
µs,
占空比
1 %
t
2.当使用玻璃环氧板(10毫米×10毫米×1毫米)
Rev.3.00 , Jun.16.2004 ,页6 1