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    2SK2980 参数 Datasheet PDF下载

    2SK2980图片预览
    型号： 2SK2980
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N沟道MOS FET高速电源开关 [Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching]
    分类和应用： 开关电源开关
    文件页数/大小： 7 页 / 81 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号2SK2980的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SK2980的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK2980的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SK2980的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SK2980的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SK2980的Datasheet PDF文件第7页  
    2SK2980
    主要特点
    功率与温度降额
    1.6
    100
    测试条件：
    当使用氧化铝陶瓷板
    （ 12.5 ×20× 0.7mm）的
    1.2
    30
    最高安全工作区
    通道耗散P沟（W）的
    漏电流I
    D
    (A)
    10
    3
    10
    µs
    100
    µs
    PW
    0.8
    0.4
    0
    50
    100
    150
    200
    m
    s
    =
    (1 10 m
    DC
    0.3
    SH s
    Op
    ot
    )
    er
    0.1在操作
    at
    这个区域是
    离子
    限于由R
    DS （ ON）
    0.03
    TA = 25°C
    0.01
    3
    0.1 0.3
    1
    10 30
    1
    1
    100
    环境温度Ta （C ）
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    典型的输出特性
    1.0
    4V
    2.5 V
    脉冲测试
    2V
    1.0
    典型的传输特性
    漏电流I
    D
    (A)
    漏电流I
    D
    (A)
    0.8
    0.8
    75°C
    25°C
    0.6
    1.8 V
    0.6
    TC = -25°C
    0.4
    0.4
    0.2
    V
    GS
    = 1.5 V
    0.2
    V
    DS
    = 10 V
    脉冲测试
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    漏极至源极饱和电压
    与门源电压
    漏极至源极饱和电压
    V
    DS （ ON）
    (V)
    0.5
    脉冲测试
    栅极至源极电压V
    GS
    (V)
    静态漏源导通状态
    电阻与漏极电流
    2
    脉冲测试
    1
    0.5
    V
    GS
    = 2.5 V
    0.4
    0.3
    0.2
    静态漏极至源极通态电阻
    R
    DS （ ON）
    (Ω)
    I
    D
    = 1 A
    0.5 A
    0.2 A
    0.2
    0.1
    0.05
    0.1
    4V
    0.1
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    0.2
    0.5
    1
    2
    5
    栅极至源极电压V
    GS
    (V)
    漏电流I
    D
    (A)
    Rev.4.00 2005年9月7日第3页6

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