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2SK2980 参数 Datasheet PDF下载

2SK2980图片预览
型号: 2SK2980
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内容描述: 硅N沟道MOS FET高速电源开关 [Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching]
分类和应用: 开关电源开关
文件页数/大小: 7 页 / 81 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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2SK2980
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
漏源极电压
栅极至源极电压
符号
V
DSS
V
GSS
评级
30
+12
–10
1.0
4
0.8
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
°
C
°
C
漏电流
I
D
漏电流峰值
I
D(pulse)Note1
散热通道
PCH
Note2
通道温度
总胆固醇
储存温度
TSTG
注意事项: 1, PW
为10μs ,占空比
1 %
2.值使用氧化铝陶瓷板时,在( 12.5 ×20× 0.7mm)的
电气特性
( TA = 25°C )
漏源击穿电压
栅源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
注: 3.脉冲测试
符号
V
( BR ) DSS
V
( BR ) GSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( OFF )
R
DS ( ON)
R
DS ( ON)
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
30
+12
–10
0.5
1.2
典型值
0.2
0.3
2.0
155
75
35
12
30
35
30
最大
1.0
±5.0
1.5
0.28
0.5
单位
V
V
V
µA
µA
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
测试条件
I
D
= 100
µA,
V
GS
= 0
I
G
= +100
µA,
V
DS
= 0
I
G
= –100
µA,
V
DS
= 0
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0
V
GS
=
±8
V, V
DS
= 0
I
D
= 10
µA,
V
DS
= 5 V
I
D
= 500毫安, V
GS
= 4 V
Note3
I
D
= 500毫安, V
GS
= 2.5 V
Note3
I
D
= 500毫安, V
DS
= 10 V
Note3
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0,
F = 1 MHz的
V
GS
= 4 V,I
D
= 500毫安,
R
L
= 20
Rev.4.00 2005年9月7日第2 6