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2SK2736 参数 Datasheet PDF下载

2SK2736图片预览
型号: 2SK2736
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内容描述: 硅N沟道MOS FET高速电源开关 [Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching]
分类和应用: 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关局域网
文件页数/大小: 7 页 / 88 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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2SK2736
反向漏电流 -
源极到漏极电压
反向漏电流I
DR
(A)
50
40
10 V
30
5V
V
GS
= 0, –5 V
20
10
脉冲测试
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
源极到漏极电压
V
SD
(V)
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
归瞬态热阻抗
γ
秒( t)的
3
TC = 25°C
1
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.05
θ
CH - C ( T) =
γ
S( T) •
θ
CH - C
θ
CH - C = 5.0 ° C / W ,TC = 25°C
PDM
PW
T
D=
0.03
0.01
10
µ
0.02
e
1
ULS
0.0
tp
ho
1s
PW
T
100
µ
1m
10 m
100 m
1
10
脉冲宽度
开关时间测试电路
PW (S )
波形
90%
输入电压监视器
D.U.T.
R
L
VOUT
MONITOR
VIN
VOUT
10%
10%
10%
VIN
10 V
50
V
DD
= 10 V
TD (上)
90%
90%
TD (关闭)
tf
tr
Rev.2.00 2005年9月7日第5 6