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    2SK2736 参数 Datasheet PDF下载

    2SK2736图片预览
    型号： 2SK2736
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N沟道MOS FET高速电源开关 [Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching]
    分类和应用： 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关局域网
    文件页数/大小： 7 页 / 88 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号2SK2736的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SK2736的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK2736的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SK2736的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SK2736的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SK2736的Datasheet PDF文件第7页  
    2SK2736
    静态漏源导通状态
    电阻与温度
    正向转移导纳
    与漏电流
    静态漏极至源极通态电阻
    R
    DS （ ON）
    (mΩ)
    正向转移导纳
    y
    fs
    (S)
    100
    脉冲测试
    80
    I
    D
    = 20 A
    V
    GS
    = 4 V
    100
    30
    10
    75°C
    3
    1
    0.3
    0.1
    0.1
    TC = -25°C
    25°C
    60
    40
    5, 10 A
    20
    10 V
    0
    –40
    0
    40
    80
    5, 10, 20 A
    V
    DS
    = 10 V
    脉冲测试
    120
    160
    0.3
    1
    3
    10
    30
    100
    案例温度T
    C
    (°C)
    体漏二极管反向
    恢复时间
    1000
    10000
    5000
    漏电流I
    D
    (A)
    典型电容
    与漏极至源极电压
    V
    GS
    = 0
    F = 1 MHz的
    反向恢复时间trr （ NS ）
    300
    100
    30
    10
    3
    1
    0.1
    的di / dt = 50A /
    µs
    V
    GS
    = 0 ， TA = 25℃
    0.3
    1
    3
    10
    30
    100
    电容C （PF ）
    2000
    1000
    西塞
    500
    科斯
    200
    100
    CRSS
    0
    10
    20
    30
    40
    50
    反向漏电流I
    DR
    (A)
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    动态输入特性
    开关特性
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    I
    D
    = 30 A
    V
    DD
    = 5 V
    10 V
    25 V
    V
    GS
    栅极至源极电压V
    GS
    (V)
    50
    20
    1000
    300
    100
    30
    10
    3
    1
    0.1
    tr
    TD （上）
    tf
    TD （关闭）
    30
    V
    DS
    12
    20
    8
    10
    V
    DD
    = 25 V
    10 V
    5V
    4
    0
    40
    开关时间t（ NS ）
    40
    16
    V
    GS
    = 10 V,
    V
    DD
    = 10 V
    PW = 5
    µs,
    值班< 1 ％
    0
    8
    16
    24
    32
    0.3
    1
    3
    10
    30
    100
    栅极电荷Qg （ NC ）
    漏电流I
    D
    (A)
    Rev.2.00 2005年9月7日第4 6

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