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    2SK2788 参数 Datasheet PDF下载

    2SK2788图片预览
    型号： 2SK2788
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N沟道MOS FET高速电源开关 [Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching]
    分类和应用： 晶体开关小信号场效应晶体管电源开关
    文件页数/大小： 7 页 / 78 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号2SK2788的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SK2788的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK2788的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SK2788的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SK2788的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SK2788的Datasheet PDF文件第7页  
    2SK2788
    静态漏源导通状态
    电阻与温度
    正向转移导纳
    y
    fs
    (S)
    0.5
    脉冲测试
    0.4
    2A
    0.3
    V
    GS
    = 4 V
    静态漏极至源极通态电阻
    R
    DS （ ON）
    (Ω)
    正向转移导纳
    与漏电流
    10
    TC = -25°C
    5
    2
    1
    0.5
    75°C
    25°C
    1A
    0.2
    1, 2 A
    10 V
    0
    –40
    0
    40
    80
    120
    160
    0.1
    0.2
    0.1
    0.1
    V
    DS
    = 10 V
    脉冲测试
    0.2
    0.5
    1
    2
    5
    10
    案例温度T
    C
    (°C)
    体漏二极管反向
    恢复时间
    500
    1000
    500
    漏电流I
    D
    (A)
    典型电容
    与漏极至源极电压
    V
    GS
    = 0
    F = 1 MHz的
    反向恢复时间trr （ NS ）
    200
    电容C （PF ）
    100
    50
    20
    10
    5
    0.1
    的di / dt = 50A /
    µs
    V
    GS
    = 0 ， TA = 25℃
    0.2
    0.5
    1
    2
    5
    10
    200
    100
    50
    西塞
    科斯
    20
    CRSS
    10
    0
    10
    20
    30
    40
    50
    反向漏电流I
    DR
    (A)
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    动态输入特性
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    I
    D
    = 2 A
    V
    DD
    = 10 V
    25 V
    50 V
    V
    DS
    V
    GS
    开关特性
    栅极至源极电压V
    GS
    (V)
    20
    100
    100
    80
    16
    开关时间t（ NS ）
    50
    20
    10
    5
    TD （关闭）
    tf
    tr
    TD （上）
    60
    12
    40
    8
    20
    V
    DD
    = 50 V
    25 V
    10 V
    4
    0
    10
    2
    1
    0.1
    0.2
    V
    GS
    = 10 V,
    V
    DD
    = 30 V
    PW = 5
    µs,
    值班< 1 ％
    0
    2
    4
    6
    8
    0.5
    1
    2
    5
    10
    栅极电荷Qg （ NC ）
    漏电流I
    D
    (A)
    Rev.2.00 2005年9月7日第4 6

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