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    2SK2788 参数 Datasheet PDF下载

    2SK2788图片预览
    型号： 2SK2788
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N沟道MOS FET高速电源开关 [Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching]
    分类和应用： 晶体开关小信号场效应晶体管电源开关
    文件页数/大小： 7 页 / 78 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号2SK2788的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SK2788的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK2788的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SK2788的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SK2788的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SK2788的Datasheet PDF文件第7页  
    2SK2788
    主要特点
    功率与温度降额
    2.0
    10
    测试条件：
    当使用氧化铝陶瓷
    板（ 12.5 ×20× 0.7mm）的
    100
    µs
    3
    1
    D
    最高安全工作区
    通道耗散P沟（W）的
    漏电流I
    D
    (A)
    1.5
    PW
    C
    =
    1
    10
    m
    s
    m
    s
    1.0
    0.3在操作
    这个区域是
    0.1限制由R
    DS （ ON）
    0.03
    0.01 TA = 25℃
    0.1 0.3
    1
    O
    pe
    t
    ra
    n
    io
    (T
    c
    =
    (1
    sh
    ot
    )
    25
    °
    C
    0.5
    )
    0
    50
    100
    150
    200
    3
    10
    30
    100
    环境温度Ta （C ）
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    典型的输出特性
    5
    6V 5V
    4V
    10 V
    4
    3.5 V
    3
    脉冲测试
    5
    典型的传输特性
    漏电流I
    D
    (A)
    3V
    漏电流I
    D
    (A)
    4
    TC = 75℃
    3
    2
    2.5 V
    1
    V
    GS
    = 2 V
    2
    –25°C
    25°C
    V
    DS
    = 10 V
    脉冲测试
    1
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    漏极至源极饱和电压
    与门源电压
    漏极至源极饱和电压
    V
    DS （ ON）
    (V)
    2.0
    脉冲测试
    栅极至源极电压V
    GS
    (V)
    静态漏源导通状态
    电阻与漏极电流
    5
    脉冲测试
    2
    1
    0.5
    V
    GS
    = 4 V
    1.6
    1.2
    0.8
    静态漏极至源极通态电阻
    R
    DS （ ON）
    (Ω)
    0.2
    0.1
    0.05
    0.1
    0.4
    I
    D
    = 2 A
    1A
    2
    4
    6
    8
    10
    10 V
    0.3
    1
    3
    10
    30
    100
    0
    栅极至源极电压V
    GS
    (V)
    漏电流I
    D
    (A)
    Rev.2.00 2005年9月7日第3页6

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