2SK2570 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SK2570
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内容描述：	硅N沟道MOS FET低频电源开关 [Silicon N Channel MOS FET Low Frequency Power Switching]
分类和应用：	晶体开关小信号场效应晶体管电源开关光电二极管
文件页数/大小：	7 页 / 173 K
品牌：	RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]

2SK2570

静态漏源导通状态

电阻与温度

2.5

= 0.2 A

静态漏极至源极通态电阻

DS （ ON）

(Ω)

正向转移导纳

与漏电流

正向转移导纳

y



(S)

0.5

0.2

0.1

0.05

2.0

TC = -25°C

1.5

= 2.5 V

0.05, 0.1A

25°C

75°C

1.0

0.05, 0.1, 0.2 A

0.5

Ð40

脉冲测试

120

160

0.02

0.01

0.005

= 10 V

脉冲测试

0.002

0.005 0.01 0.02

0.05

0.1

0.2

案例温度T

(°C)

漏电流I

(A)

典型的电容比。

漏源极电压

500

200

500

开关特性

TD （关闭）

开关时间t（微秒）

电容C （PF ）

200

100

0.05

100

= 0

F = 1 MHz的

西塞

科斯

TD （上）

CRSS

= 5 V,

= 10 V

PW = 5

µs,

值班< 1 ％

0.1

0.2

0.5

漏极至源极电压V

(V)

反向漏电流 -

源极到漏极电压

0.20

漏电流

(A)

反向漏电流I

(A)

0.16

0.12

= 0

0.08

0.04

脉冲测试

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

源极到漏极电压

(V)

Rev.2.00 2005年9月7日第4 6

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