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    2SK2570 参数 Datasheet PDF下载

    2SK2570图片预览
    型号： 2SK2570
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N沟道MOS FET低频电源开关 [Silicon N Channel MOS FET Low Frequency Power Switching]
    分类和应用： 晶体开关小信号场效应晶体管电源开关光电二极管
    文件页数/大小： 7 页 / 173 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号2SK2570的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SK2570的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK2570的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SK2570的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SK2570的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SK2570的Datasheet PDF文件第7页  
    2SK2570
    主要特点
    最大通道损耗曲线
    P沟（ mW）的
    200
    5
    2
    最高安全工作区
    漏电流I
    D
    (A)
    50
    100
    150
    200
    150
    1
    1毫秒
    PW
    10 =
    0.2
    (1
    DC
    SH毫秒
    ot
    0.1
    O
    )
    pe
    操作
    ra
    TIO
    0.05这个区域是
    n
    限于由R
    DS （ ON）
    0.02
    TA = 25°C
    0.01
    1次射门
    0.05
    0.2 0.5 1 2
    5 10 20
    0.5
    散热通道
    100
    50
    0
    50 100
    环境温度
    的Ta （℃）
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    典型的输出特性
    0.20
    10 V
    5V
    2.5 V
    2V
    0.20
    典型的传输特性
    漏电流I
    D
    (A)
    漏电流I
    D
    (A)
    0.16
    0.16
    75°C
    0.12
    25°C
    TC = -25°C
    0.12
    1.8 V
    0.08
    V
    GS
    = 1.6 V
    0.08
    0.04
    0.04
    V
    DS
    = 10 V
    脉冲测试
    脉冲测试
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    0
    0.5
    1.0
    1.5
    2.0
    2.5
    漏极至源极饱和电压V
    DS （ ON）
    (V)
    静态漏极至源极通态电阻
    R
    DS （ ON）
    (Ω)
    漏极至源极饱和电压
    与门源电压
    0.5
    脉冲测试
    静态漏源导通状态
    电阻与漏极电流
    5
    脉冲测试
    2
    V
    GS
    = 2.5 V
    0.4
    0.3
    1
    4V
    0.5
    0.2
    I
    D
    = 0.2 A
    0.1
    0.1 A
    0.05 A
    2
    4
    6
    8
    10
    0.2
    0.1
    0.01
    0
    0.02
    0.05
    0.1
    0.2
    0.5
    栅极至源极电压V
    GS
    (V)
    漏电流I
    D
    (A)
    Rev.2.00 2005年9月7日第3页6

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