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    2SK2569 参数 Datasheet PDF下载

    2SK2569图片预览
    型号： 2SK2569
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N沟道MOS FET [Silicon N Channel MOS FET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管光电二极管
    文件页数/大小： 7 页 / 103 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号2SK2569的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SK2569的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK2569的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SK2569的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SK2569的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SK2569的Datasheet PDF文件第7页  
    2SK2569
    主要特点
    功率与温度降额
    最高安全工作区
    1
    1毫秒
    0.3
    150
    P沟（ mW）的
    200
    PW
    漏电流I
    D
    (A)
    =
    10
    0.1
    s
    m
    D
    C
    散热通道
    O
    pe
    100
    0.03
    0.01
    0.003
    操作
    这个区域是
    限于由R
    DS （ ON）
    t
    ra
    n
    io
    50
    0
    50
    100
    150
    200
    0.001 TA = 25℃
    0.1 0.3
    1
    3
    10
    30
    100
    外壳温度
    TC （ ℃）
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    典型的输出特性
    0.20
    10 V 4 V
    2.3 V
    0.20
    典型的传输特性
    漏电流I
    D
    (A)
    漏电流I
    D
    (A)
    0.16
    2.5 V
    0.16
    25°C
    TC = 75℃
    –25°C
    0.08
    0.12
    2V
    0.12
    0.08
    0.04
    脉冲测试
    0
    2
    4
    V
    GS
    = 1.5 V
    0.04
    V
    DS
    = 5 V
    脉冲测试
    6
    8
    10
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    漏极至源极饱和电压
    与门源电压
    0.5
    脉冲测试
    栅极至源极电压V
    GS
    (V)
    静态漏源导通状态
    电阻与漏极电流
    20
    脉冲测试
    10
    5
    V
    GS
    = 2.5 V
    漏极至源极饱和电压V
    DS （ ON）
    (V)
    0.4
    I
    D
    = 0.2 A
    0.3
    静态漏极至源极通态电阻
    R
    DS （ ON）
    (Ω)
    2
    4V
    1
    0.5
    0.2
    0.01 0.02
    0.2
    0.1 A
    0.1
    0.05 A
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    0.05
    0.1
    0.2
    0.5
    1
    栅极至源极电压V
    GS
    (V)
    漏电流I
    D
    (A)
    Rev.3.00 2006年12月27日第3页6

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