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    2SK2569 参数 Datasheet PDF下载

    2SK2569图片预览
    型号： 2SK2569
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N沟道MOS FET [Silicon N Channel MOS FET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管光电二极管
    文件页数/大小： 7 页 / 103 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号2SK2569的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SK2569的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SK2569的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SK2569的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SK2569的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SK2569的Datasheet PDF文件第7页  
    2SK2569
    绝对最大额定值
    （ TA = 25°C ）
    项
    漏源极电压
    栅极至源极电压
    漏电流
    漏电流峰值
    散热通道
    通道温度
    储存温度
    注：1， PW
    ≤
    10
    µs,
    占空比
    ≤
    1 %
    符号
    V
    DSS
    V
    GSS
    I
    D
    I
    D（脉冲）
    *
    1
    PCH *
    2
    总胆固醇
    TSTG
    评级
    50
    ±20
    0.2
    0.4
    150
    150
    -55到+150
    单位
    V
    V
    A
    A
    mW
    °
    C
    °
    C
    电气特性
    （ TA = 25°C ）
    项
    漏源击穿电压
    栅源击穿电压
    零栅极电压漏极电流
    门源漏电流
    门源截止电压
    静态漏源导通状态
    阻力
    静态漏源导通状态
    阻力
    正向转移导纳
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    注： 2.脉冲测试
    符号
    V
    （ BR ） DSS
    V
    （ BR ） GSS
    I
    DSS
    I
    GSS
    V
    GS （ OFF ）
    R
    DS(on)1
    R
    DS(on)2
    |y
    fs
    |
    西塞
    科斯
    CRSS
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    民
    50
    ±20
    —
    —
    0.5
    —
    —
    0.13
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    典型值
    —
    —
    —
    —
    —
    2.0
    3.1
    0.23
    14.0
    17.2
    1.73
    40
    86
    1120
    430
    最大
    —
    —
    1.0
    ±2.0
    1.5
    2.6
    5.0
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    单位
    V
    V
    µA
    µA
    V
    Ω
    Ω
    S
    pF
    pF
    pF
    ns
    ns
    ns
    ns
    测试条件
    I
    D
    = 100
    µA,
    V
    GS
    = 0
    I
    G
    =
    ±100 µA,
    V
    DS
    = 0
    V
    DS
    = 40 V, V
    GS
    = 0
    V
    GS
    =
    ±16
    V, V
    DS
    = 0
    I
    D
    = 10
    µA,
    V
    DS
    = 5 V
    I
    D
    = 100毫安， V
    GS
    = 4 V*
    2
    I
    D
    = 40 mA时， V
    GS
    = 2.5 V*
    2
    I
    D
    = 100毫安， V
    DS
    = 10 V
    V
    DS
    = 10 V, V
    GS
    = 0,
    F = 1 MHz的
    V
    GS
    = 10 V，I
    D
    = 100毫安，
    R
    L
    = 300
    Ω
    Rev.3.00 2006年12月27日第2页6

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