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2SK216 参数 Datasheet PDF下载

2SK216图片预览
型号: 2SK216
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内容描述: 硅N沟道MOS FET [Silicon N Channel MOS FET]
分类和应用: 晶体晶体管开关局域网
文件页数/大小: 6 页 / 65 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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2SK213 , 2SK214 , 2SK215 , 2SK216
主要特点
功率与温度降额
60
500
典型的输出特性
3.5
T
C
= 25°C
3.0
400
通道耗散P沟(W)的
漏电流I
D
(MA )
40
2.5
300
2.0
200
1.5
20
100
1.0
V
GS
= 0.5 V
4
8
12
16
20
0
50
100
150
0
案例温度T
C
(°C)
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
50
典型的传输特性
500
T
C
= 25
°
C
0.8
V
DS
= 20 V
漏电流I
D
(MA )
漏电流I
D
(MA )
0.7
0.6
0.5
0.4
30
300
20
200
10
0.3
0.2
V
GS
= 0.1 V
100
0
20
40
60
80
100
0
1
T
C
2
=–
40
400
25
°
C
25
75
3
4
5
漏极至源极电压V
DS
(V)
门源电压V
GS
(V)
正向转移导纳
与漏电流
200
100
100
漏电流I
D
(MA )
80
T
C
=
–25
°
C
25
75
V
DS
= 20 V
正向转移导纳
y
fs
(女士)
典型的传输特性
50
60
20
10
5
T
C
= 25°C
V
DS
= 20 V
40
20
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2
5
10
20
50
100 200
门源电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(MA )
Rev.2.00 2005年9月7日第3页5