2SK216 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SK216
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	硅N沟道MOS FET [Silicon N Channel MOS FET]
分类和应用：	晶体晶体管开关局域网
文件页数/大小：	6 页 / 65 K
品牌：	RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]

2SK213 ， 2SK214 ， 2SK215 ， 2SK216

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

2SK213

2SK214

2SK215

2SK216

栅极至源极电压

漏电流

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

储存温度

注意：

1.价值在T

= 25

GSS

PCH

PCH *

总胆固醇

TSTG

符号

DSX

评级

140

160

180

200

±15

500

1.75

150

-45至+150

单位

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿2SK213

电压

2SK214

2SK215

2SK216

栅源击穿电压

栅极至源极电压

漏极至源极饱和电压

正向转移导纳

输入电容

反向传输电容

注意：

2.脉冲测试

符号

（ BR ） DSX

民

140

160

180

（ BR ） GSS

GS （ ON）

DS （ SAT ）

西塞

CRSS

200

±15

0.2

—

典型值

—

2.2

最大

—

1.5

2.0

—

单位

= -10 μA ，V

= 0

= 10 mA时， V

= 10 V *

= 10 mA时， V

= 0 *

= 10 mA时， V

= 20 V *

= 10 mA时， V

= 10 V,

F = 1 MHz的

测试条件

= 1毫安， V

= –2 V

Rev.2.00 2005年9月7日第2页5

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案