2SK1773 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SK1773
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内容描述：	硅N沟道MOS FET [Silicon N Channel MOS FET]
分类和应用：
文件页数/大小：	7 页 / 81 K
品牌：	RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]

2SK1773

反向漏电流 -

源极到漏极电压

脉冲测试

反向漏电流I

(A)

= 10 V

0, – 5 V

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

源极到漏极电压V

(V)

归瞬态热阻抗

(t)

归瞬态热阻抗与脉冲宽度

D=1

0.5

0.3

0.2

0.1

0.05

0.02

0.03

0.01

笑

UL本身

TC = 25°C

1.0

CH - C （ T） =

S（ T）

. θ

CH - C

CH - C = 1.25 ° C / W ，TC = 25°C

ð = T

10 m

100 m

0.01

100

脉冲宽度PW （S ）

开关时间测试电路

输入电压监视器

VOUT监控

D.U.T

VOUT

VIN

10 V

Ω

VIN

10 %

波形

90 %

10 %

90 %

30 V

TD （上）

90 %

TD （关闭）

Rev.2.00 2005年9月7日第5 6

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