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    2SK1773 参数 Datasheet PDF下载

    2SK1773图片预览
    型号： 2SK1773
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N沟道MOS FET [Silicon N Channel MOS FET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 7 页 / 81 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号2SK1773的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SK1773的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK1773的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SK1773的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SK1773的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SK1773的Datasheet PDF文件第7页  
    2SK1773
    主要特点
    功率与温度降额
    160
    50
    30
    最高安全工作区
    在这一领域
    由R有限公司
    DS （ ON）
    10
    通道耗散P沟（W）的
    漏电流I
    D
    (A)
    120
    10
    PW
    10
    D
    C
    µ
    s
    0
    µ
    s
    )
    )
    ot
    s
    °
    C
    sh
    m
    25
    1
    (1
    =
    s
    c
    m
    (T
    10
    n
    =
    TIO
    ra
    pe
    O
    3
    1
    0.3
    0.1
    80
    40
    TA = 25°C
    0
    50
    100
    150
    200
    0.05
    10
    30
    100
    300
    1000 3000 10000
    案例温度T
    C
    (°C)
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    典型的输出特性
    10
    10 V
    8V
    5.5 V
    脉冲测试
    5V
    5
    典型的传输特性
    漏电流I
    D
    (A)
    6
    漏电流I
    D
    (A)
    8
    4
    V
    DS
    = 10 V
    脉冲测试
    3
    4
    4V
    2
    V
    GS
    = 3.5 V
    0
    10
    20
    30
    40
    50
    2
    TC = 75℃
    25°C
    1
    –25°C
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    漏极至源极饱和电压
    与门源电压
    漏极至源极饱和电压
    V
    DS （ ON）
    (V)
    20
    脉冲测试
    栅极至源极电压V
    GS
    (V)
    静态漏源导通状态
    电阻与漏极电流
    50
    脉冲测试
    16
    静态漏极至源极通态电阻
    R
    DS （ ON）
    (Ω)
    20
    10
    5
    12
    5A
    8
    2
    1
    0.5
    0.2
    V
    GS
    = 10 V
    4
    2A
    I
    D
    = 1 A
    0
    4
    8
    12
    16
    20
    0.5
    1
    2
    5
    10
    20
    栅极至源极电压V
    GS
    (V)
    漏电流I
    D
    (A)
    Rev.2.00 2005年9月7日第3页6

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