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2SK1579 参数 Datasheet PDF下载

2SK1579图片预览
型号: 2SK1579
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内容描述: 硅N沟道MOS FET [Silicon N Channel MOS FET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关
文件页数/大小: 6 页 / 70 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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2SK1579
静态漏源导通状态
电阻与温度
1.0
脉冲测试
静态漏极至源极通态电阻
R
DS ( ON)
(Ω)
正向转移导纳
与漏电流
正向转移导纳
y
fs
(S)
50
V
DS
= 5 V
脉冲测试
20
10
5
TA = -25°C
25°C
75°C
0.8
0.6
I
D
= 1 A
0.5 A
I
D
= 0.5 A
V
GS
= 2 V
0.4
V
GS
= 4 V
2
1
0.05
0.2
0.2
1A
0
–25
2A
0
25
50
75
100
0.5
1
2
5
10
20
案例温度T
C
(°C)
反向漏电流 -
源极到漏极电压
5
500
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
典型的电容比。
漏源极电压
反向漏电流I
DR
(A)
科斯
电容C (PF )
4
200
西塞
100
50
CRSS
3
2
V
GS
= 2 V
V
GS
= 0
20
10
5
0.1
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
0.2
0.5
1
2
5
10
1
0
0
1.0
2.0
源极到漏极电压V
SD
(V)
漏极至源极电压V
DS
(V)
开关特性
5,000
开关时间t( NS )
V
GS
= 4 V, V
DD
= 10 V
PW = 2
µs,
占空比= 1 %
2,000
1,000
500
tf
tr
TD (上)
0.2
0.5
1
2
5
TD (关闭)
200
100
50
0.05 0.1
漏电流I
D
(A)
Rev.2.00 2005年9月7日第4