2SK1579 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SK1579
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内容描述：	硅N沟道MOS FET [Silicon N Channel MOS FET]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关
文件页数/大小：	6 页 / 70 K
品牌：	RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]

2SK1579

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

信道功率耗散

通道温度

符号

DSS

GSS

D（脉冲）

PCH

总胆固醇

评级

±7

150

-55到+150

单位

储存温度

TSTG

注意事项： 1， PW

≤

为100μs ，占空比

≤

10%

2.价值的氧化铝陶瓷板（ 12.5

0.7 mm)

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏极至源极电流切断

门源截止电流

门源截止电压

漏极到源极导通电阻（ 1 ）

漏极到源极导通电阻（ 2 ）

直流正向转移导纳

输入电容

反向传输电容

输出电容

开启时间

打开-O FF时间

注意：

3.脉冲测试

符号

DSS

GSS

GS （ OFF ）

DS （ ON）

西塞

CRSS

科斯

（上）

（关闭）

民

—

0.4

—

典型值

—

0.36

0.25

2.5

110

150

500

1500

最大

±5

1.4

0.7

0.35

—

单位

µA

Ω

测试条件

= 8 V, V

= 0

±6.5

V, V

= 0

= 5 V，I

= 100

µA

= 2.2 V，I

= 0.5 A

= 4 V，I

= 1 A

= 5 V，I

= 1 A,

∆V

= 0.1 V

= 5 V, V

= 0,

F = 1 MHz的

= 0.2 A，V

= 0,

VIN = 24 V ，R

= 51

Ω

Rev.2.00 2005年9月7日第2页5

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