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    2SK1405 参数 Datasheet PDF下载

    2SK1405图片预览
    型号： 2SK1405
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N沟道MOS FET [Silicon N Channel MOS FET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管局域网
    文件页数/大小： 7 页 / 92 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号2SK1405的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SK1405的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK1405的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SK1405的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SK1405的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SK1405的Datasheet PDF文件第7页  
    2SK1405
    反向漏电流 -
    源极到漏极电压
    20
    反向漏电流I
    DR
    (A)
    脉冲测试
    16
    12
    8
    V
    GS
    =
    0, –5
    V
    10 V
    4
    0
    0
    0.4
    0.8
    1.2
    1.6
    2.0
    源极到漏极电压
    V
    SD
    (V)
    归瞬态热阻抗与脉冲宽度
    归瞬态热阻抗
    γ
    秒（ t）的
    3
    TC = 25°C
    1
    D=1
    0.5
    0.3
    0.2
    0.1
    0.1
    0.05
    0.02
    θch
    - C （T ） =
    γ
    S（ T） •
    θch
    – c
    θch
    - C = 2.08 ° C / W ，TC = 25°C
    P
    DM
    u
    tp
    LSE
    D=
    PW
    T
    0.03
    0.0
    PW
    T
    1
    1
    o
    sh
    0.01
    10
    µ
    100
    µ
    1m
    10 m
    100 m
    1
    10
    脉冲宽度PW （S ）
    开关时间测试电路
    输入电压监视器
    D.U.T.
    R
    L
    VOUT
    VIN
    10 V
    50
    Ω
    V
    DD
    = 30 V
    TD （上）
    10%
    VOUT
    MONITOR
    VIN
    10%
    波形
    90%
    10%
    90%
    tr
    90%
    TD （关闭）
    tf
    Rev.3.00 2006年5月15日第5 6

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