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    2SK1405 参数 Datasheet PDF下载

    2SK1405图片预览
    型号： 2SK1405
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N沟道MOS FET [Silicon N Channel MOS FET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管局域网
    文件页数/大小： 7 页 / 92 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号2SK1405的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SK1405的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK1405的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SK1405的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SK1405的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SK1405的Datasheet PDF文件第7页  
    2SK1405
    主要特点
    功率与温度降额
    80
    最高安全工作区
    100
    30
    ea
    ar
    is
    （上）
    th
    S
    in
    N Y ř
    D
    PW
    蒂奥B
    RA ð
    PE螨
    =
    Ø李
    10
    DC
    is
    通道耗散P沟（W）的
    60
    漏电流I
    D
    (A)
    10
    3
    1
    0.3
    0.1
    0.03
    0.01
    40
    20
    1
    m
    s
    m
    Op
    s(
    er
    1
    at
    离子
    笑
    tp
    (T
    ULS
    C
    =
    25
    e)
    °
    C
    )
    1
    10
    0
    µ
    s
    0
    µ
    s
    TA = 25
    °
    C
    1
    3
    10
    30
    100
    300 1,000
    0
    50
    100
    150
    200
    案例温度T
    C
    (°C)
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    典型的输出特性
    20
    10 V
    6V
    5V
    脉冲测试
    12
    4.5 V
    20
    典型的传输特性
    V
    DS
    = 10 V
    脉冲测试
    漏电流I
    D
    (A)
    漏电流I
    D
    (A)
    16
    16
    12
    8
    8
    4
    V
    GS
    = 4 V
    4
    T
    C
    = 75°C
    25°C
    –25°C
    0
    4
    8
    12
    16
    20
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    漏极至源极饱和电压
    与门源电压
    10
    脉冲测试
    8
    20 A
    栅极至源极电压V
    GS
    (V)
    静态漏源导通状态
    电阻与漏极电流
    5
    脉冲测试
    2
    1
    0.5
    0.2
    0.1
    0.05
    1
    2
    5
    10
    20
    50
    100
    V
    GS
    = 10, 15 V
    漏极至源极饱和电压V
    DS （ ON）
    (V)
    6
    4
    10 A
    I
    D
    = 5 A
    2
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    栅极至源极电压V
    GS
    (V)
    静态漏极至源极通态电阻
    R
    DS （ ON）
    (Ω)
    漏电流I
    D
    (A)
    Rev.3.00 2006年5月15日第3页6

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