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2SK1254 参数 Datasheet PDF下载

2SK1254图片预览
型号: 2SK1254
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内容描述: 硅N沟道MOS FET [Silicon N Channel MOS FET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 90 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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2SK1254 (L) 2SK1254 (S)
静态漏源导通状态
电阻与温度
正向转移导纳
y
fs
(S)
1.0
脉冲测试
I
D
= 3 A
0.6
1, 2 A
V
GS
= 4 V
3A
1, 2 A
10
V
DS
= 10 V
5脉冲测试
2
1.0
0.5
静态漏极至源极通态电阻
R
DS ( ON)
(Ω)
正向转移导纳
与漏电流
–25°C
T
C
= 25°C
75°C
0.8
0.4
V
GS
= 10 V
0.2
0.2
0.1
0.05 0.1
0
–40
0
40
80
120
160
0.2
0.5
1.0
2
5
案例温度T
C
(°C)
体漏二极管反向
恢复时间
500
1,000
的di / dt = 50A / μs的,TA = 25℃
V
GS
= 0
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
典型电容
与漏极至源极电压
反向恢复时间trr ( NS )
西塞
电容C (PF )
200
100
50
100
科斯
CRSS
10
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
1
20
10
5
0.1
0.2
0.5
1.0
2
5
10
0
10
20
30
40
50
反向漏电流I
DR
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
100
开关特性
栅极至源极电压V
GS
(V)
20
500
t
D(关闭)
V
GS
= 10 V V
DD
= 30 V
PW = 2
µs,
& LT ;
1 %
漏极至源极电压V
DS
(V)
V
DS
开关时间t( NS )
80
V
DD
= 25 V
50 V
80 V
16
200
100
50
60
V
GS
12
40
V
DD
= 80 V
50 V
25 V
8
16
24
I
D
= 3 A
8
t
f
20
10
20
4
t
r
t
D(上)
0
32
0
40
5
1.0
0.2
0.5
1.0
2
5
10
栅极电荷Qg ( NC )
漏电流I
D
(A)
Rev.2.00 2005年9月7日第4 7