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    2SK1254 参数 Datasheet PDF下载

    2SK1254图片预览
    型号： 2SK1254
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N沟道MOS FET [Silicon N Channel MOS FET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 8 页 / 90 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号2SK1254的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SK1254的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK1254的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SK1254的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SK1254的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SK1254的Datasheet PDF文件第7页浏览型号2SK1254的Datasheet PDF文件第8页  
    2SK1254 （L） 2SK1254 （S）
    主要特点
    功率与温度降额
    30
    50
    20
    最高安全工作区
    通道耗散P沟（W）的
    漏电流I
    D
    (A)
    10
    5
    2
    1.0
    0.5
    PW
    µ
    s
    s
    10
    0
    µ
    10
    20
    =
    10
    DC
    O
    m
    1
    s
    m
    (1
    Sh
    ot
    s
    pe
    t
    ra
    io
    10
    0
    50
    100
    150
    操作在此
    0.2
    面积有限
    由R
    DS
    （上）
    0.1
    TA = 25°C
    0.05
    1
    3
    10
    30
    n
    (T
    C
    )
    =
    )
    °
    C
    25
    100
    300
    1,000
    案例温度T
    C
    (°C)
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    典型的输出特性
    5
    10 V
    脉冲测试
    4V
    3V
    3
    5
    典型的传输特性
    漏电流I
    D
    (A)
    漏电流I
    D
    (A)
    4
    4
    V
    DS
    = 10 V
    脉冲测试
    3
    2
    2.5 V
    1
    V
    GS
    = 2 V
    0
    4
    8
    12
    16
    20
    2
    1
    75°C
    T
    C
    = 25°C
    1
    2
    3
    –25°C
    0
    4
    5
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    栅极至源极电压V
    GS
    (V)
    漏极至源极饱和电压
    V
    DS （ ON）
    (V)
    2.0
    脉冲测试
    1.6
    静态漏极至源极通态电阻
    R
    DS （ ON）
    (Ω)
    漏极至源极饱和电压
    与门源电压
    静态漏源导通状态
    电阻与漏极电流
    5
    脉冲测试
    V
    GS
    = 4 V
    2
    1.0
    0.5
    1.2
    3A
    0.8
    2A
    0.4
    I
    D
    = 1 A
    10 V
    0.2
    0.1
    0.05
    0.2
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    0.5
    1.0
    2.0
    5.0
    10
    20
    栅极至源极电压V
    GS
    (V)
    漏电流I
    D
    (A)
    Rev.2.00 2005年9月7日第3页7

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