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    2SK1168 参数 Datasheet PDF下载

    2SK1168图片预览
    型号： 2SK1168
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N沟道MOS FET [Silicon N Channel MOS FET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管局域网
    文件页数/大小： 7 页 / 83 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号2SK1168的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SK1168的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK1168的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SK1168的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SK1168的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SK1168的Datasheet PDF文件第7页  
    2SK1167 ， 2SK1168
    静态漏源导通状态
    电阻与温度
    1.0
    V
    GS
    = 10 V
    脉冲测试
    I
    D
    = 20 A
    静态漏极至源极通态电阻
    R
    DS （ ON）
    (Ω)
    正向转移导纳主场迎战漏电流
    正向转移导纳
    y
    fs
    (S)
    50
    20
    10
    5
    V
    DS
    = 20 V
    脉冲测试
    –25°C
    T
    C
    = 25°C
    75°C
    0.8
    0.6
    0.4
    5A
    0.2
    10 A
    2
    1.0
    0.5
    0.2
    0
    –40
    0
    40
    80
    120
    160
    0.5
    1.0
    2
    5
    10
    20
    案例温度T
    C
    (°C)
    漏电流I
    D
    (A)
    体漏二极管反向
    恢复时间
    反向恢复时间trr （ NS ）
    5,000
    2,000
    1,000
    500
    的di / dt = 100 A / μs的，TA = 25℃
    V
    GS
    = 0
    脉冲测试
    10,000
    典型电容
    与漏极至源极电压
    V
    GS
    = 0
    F = 1 MHz的
    电容C （PF ）
    西塞
    1,000
    科斯
    200
    100
    50
    0.2
    100
    CRSS
    10
    0.5
    1.0
    2
    5
    10
    20
    0
    10
    20
    30
    40
    50
    反向漏电流I
    DR
    (A)
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    动态输入特性
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    500
    V
    DD
    = 100 V
    400
    V
    DS
    300
    250 V
    400 V
    V
    GS
    12
    16
    20
    1,000
    开关特性
    栅极至源极电压V
    GS
    (V)
    V
    GS
    = 10 V, V
    DD
    30 V
    PW = 2
    µs,
    值班< 1 ％
    t
    D（关闭）
    t
    r
    t
    f
    开关时间t（ NS ）
    500
    200
    100
    50
    200
    100
    V
    DD
    = 400 V
    250 V
    100 V
    20
    40
    60
    I
    D
    = 15 A
    8
    4
    t
    D（上）
    20
    10
    0.5
    0
    80
    0
    100
    1.0
    2
    5
    10
    20
    50
    栅极电荷Qg （ NC ）
    漏电流I
    D
    (A)
    Rev.2.00 2005年9月7日第4 6

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