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    2SK1168 参数 Datasheet PDF下载

    2SK1168图片预览
    型号： 2SK1168
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N沟道MOS FET [Silicon N Channel MOS FET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管局域网
    文件页数/大小： 7 页 / 83 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号2SK1168的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SK1168的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SK1168的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SK1168的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SK1168的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SK1168的Datasheet PDF文件第7页  
    2SK1167 ， 2SK1168
    绝对最大额定值
    （ TA = 25°C ）
    项
    漏源极电压
    栅极至源极电压
    漏电流
    漏电流峰值
    体漏二极管的反向漏电流
    散热通道
    通道温度
    储存温度
    注意事项： 1， PW
    ≤
    10
    µs,
    占空比
    ≤
    1%
    2.价值在T
    C
    = 25
    °
    C
    2SK1167
    2SK1168
    V
    GSS
    I
    D
    I
    D（脉冲）
    *
    I
    DR
    2
    PCH *
    总胆固醇
    TSTG
    1
    符号
    V
    DSS
    评级
    450
    500
    ±30
    15
    60
    15
    100
    150
    -55到+150
    单位
    V
    V
    A
    A
    A
    W
    °
    C
    °
    C
    电气特性
    （ TA = 25°C ）
    项
    漏极至源极
    击穿电压
    2SK1167
    2SK1168
    符号
    V
    （ BR ） DSS
    V
    （ BR ） GSS
    I
    GSS
    I
    DSS
    V
    GS （ OFF ）
    R
    DS （ ON）
    |y
    fs
    |
    西塞
    科斯
    CRSS
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    V
    DF
    t
    rr
    民
    450
    500
    ±30
    —
    —
    2.0
    —
    —
    8
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    典型值
    —
    —
    —
    —
    —
    0.25
    0.30
    13
    2050
    600
    75
    30
    110
    150
    70
    1.0
    500
    最大
    —
    —
    ±10
    250
    3.0
    0.36
    0.40
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    单位
    V
    V
    µA
    µA
    V
    Ω
    S
    pF
    pF
    pF
    ns
    ns
    ns
    ns
    V
    ns
    测试条件
    I
    D
    = 10 mA时， V
    GS
    = 0
    I
    G
    =
    ±100 µA,
    V
    DS
    = 0
    V
    GS
    =
    ±25
    V, V
    DS
    = 0
    V
    DS
    = 360 V, V
    GS
    = 0
    V
    DS
    = 400 V, V
    GS
    = 0
    I
    D
    = 1毫安， V
    DS
    = 10 V
    3
    I
    D
    = 8 A，V
    GS
    = 10 V *
    I
    D
    = 8 A，V
    DS
    = 10 V *
    V
    DS
    = 10 V, V
    GS
    = 0,
    F = 1 MHz的
    I
    D
    = 8 A，V
    GS
    = 10 V,
    R
    L
    = 3.75
    Ω
    3
    栅源击穿电压
    门源漏电流
    零栅压漏2SK1167
    当前
    2SK1168
    门源截止电压
    静态漏源2SK1167
    态电阻
    2SK1168
    正向转移导纳
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    身体流失二极管正向电压
    体漏二极管反向恢复
    时间
    注： 3.脉冲测试
    I
    F
    = 15 A，V
    GS
    = 0
    I
    F
    = 15 A，V
    GS
    = 0,
    di
    F
    / DT = 100 A / μs的
    Rev.2.00 2005年9月7日第2 6

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