2SJ486 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SJ486
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内容描述：	硅P沟道MOS场效应晶体管 [Silicon P Channel MOS FET]
分类和应用：	晶体小信号场效应晶体管光电二极管
文件页数/大小：	7 页 / 79 K
品牌：	RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]

2SJ486

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

正向转移导纳| YFS | （ S）

静态漏极至源极通态电阻

DS （ ON）

(Ω)

2.0

脉冲测试

1.4

= –0.1 A, –0.2 A

= –2.5 V

0.8

–0.1 A, –0.2 A

–4 V

–40

120

160

= –10 V

脉冲测试

0.5

75°C

TC = -25°C

25°C

正向转移导纳主场迎战

漏电流

1.2

0.2

0.1

0.05

–0.01 –0.02

0.4

–0.05 –0.1 –0.2

–0.5

–1

外壳温度

TC （ ℃）

漏电流I

(A)

典型的电容比。

漏源极电压

1000

10000

3000

1000

300

100

–0.05

开关特性

开关时间t（ NS ）

300

电容C （PF ）

100

科斯

西塞

TD （关闭）

TD （上）

CRSS

= 0

F = 1 MHz的

–4

–8

–12

–16

–20

= –4 V, V

= –10 V

PW = 5

µs,

税

≤

1 %

–0.1

–0.2

–0.5

–1

漏极至源极电压V

(V)

反向漏电流 -

源极到漏极电压

–1.0

漏电流

(A)

反向漏电流I

(A)

脉冲测试

–0.8

–0.6

–

5 V

–0.4

= 0, 5 V

–0.2

–0.4

–0.8

–1.2

–1.6

–2.0

源极到漏极电压

(V)

Rev.3.00 2005年9月7日第4 6

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