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    2SJ486 参数 Datasheet PDF下载

    2SJ486图片预览
    型号： 2SJ486
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅P沟道MOS场效应晶体管 [Silicon P Channel MOS FET]
    分类和应用： 晶体小信号场效应晶体管光电二极管
    文件页数/大小： 7 页 / 79 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号2SJ486的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SJ486的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SJ486的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SJ486的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SJ486的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SJ486的Datasheet PDF文件第7页  
    2SJ486
    主要特点
    功率与温度降额
    P沟（ mW）的
    200
    –1
    PW
    最高安全工作区
    1毫秒
    I
    D
    (A)
    –0.3
    –0.1
    –0.03
    –0.01
    D
    s
    米T）
    10 o
    = 1 SH
    (
    150
    C
    O
    散热通道
    pe
    漏电流
    ra
    100
    操作
    这个区域是
    限于由R
    DS （ ON）
    TIO
    n
    50
    –0.003
    TA = 25°C
    –0.001
    –0.1 –0.3
    –1
    0
    0
    50
    100
    150
    200
    –3
    –10
    –30
    –100
    环境温度
    的Ta （℃）
    漏源极电压
    V
    DS
    (V)
    典型的输出特性
    –1.0
    –10 V
    –5 V
    –4 V
    –2.5 V
    –0.6
    –2 V
    –1.0
    典型的传输特性
    V
    DS
    = –10 V
    脉冲测试
    I
    D
    (A)
    –0.8
    I
    D
    (A)
    漏电流
    –0.8
    –0.6
    漏电流
    –0.4
    TA = 25°C
    脉冲测试
    V
    GS
    = –1.5 V
    –0.4
    TC = 75℃
    –0.2
    25°C
    –25°C
    0
    0
    –1
    –2
    –3
    –4
    –5
    –0.2
    0
    0
    –0.2
    –0.4
    –0.6
    –0.8
    –1.0
    漏源极电压
    V
    DS
    (V)
    栅极至源极电压
    V
    GS
    (V)
    漏极至源极饱和电压V
    DS （ ON）
    (V)
    漏极至源极饱和电压与
    栅极至源极电压
    –0.5
    TA = 25°C
    脉冲测试
    –0.4
    静态漏极至源极通态电阻
    与漏电流
    静态漏极至源极通态电阻
    R
    DS （ ON）
    (Ω)
    10
    TA = 25°C
    5脉冲测试
    –0.3
    2
    1
    0.5
    V
    GS
    = –2.5 V
    –0.2
    I
    D
    = –0.2 A
    –0.1 A
    0
    0
    –2
    –4
    –6
    –8
    –10
    –4 V
    –0.1
    0.2
    0.1
    –0.01 –0.03 –0.1 –0.3
    –1
    –3
    –10
    栅极至源极电压
    V
    GS
    (V)
    漏电流
    I
    D
    (A)
    Rev.3.00 2005年9月7日第3页6

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