2SJ484 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SJ484
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内容描述：	硅P沟道MOS场效应晶体管 [Silicon P Channel MOS FET]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	7 页 / 79 K
品牌：	RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]

2SJ484

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

正向转移导纳主场迎战

漏电流

正向转移导纳| YFS | （ S）

静态漏极至源极通态电阻

DS （ ON）

(Ω)

0.5

脉冲测试

0.4

= –2 A

0.3

= –10 V

0.2

–0.5 A, –1.0 A

TC = -25°C

25°C

0.5

75°C

0.2

0.1

= –10 V

脉冲测试

–5

0.1

–40

120

160

0.05

–0.01 –0.02 –0.05 –0.1 –0.2 –0.5 –1 –2

外壳温度

TC （ ℃）

漏电流I

(A)

典型的电容比。

漏源极电压

1000

500

体漏二极管的反向

恢复时间

500

反向恢复时间trr （ NS ）

电容C （PF ）

200

100

西塞

200

100

科斯

–0.1 –0.2

的di / dt = 50A /

µs

= 0 ， TA = 25℃

–0.5

–1

–2

–5

–10

CRSS

= 0

F = 1 MHz的

–10

–20

–30

–40

–50

反向漏电流

(A)

漏极至源极电压V

(V)

动态输入特性

开关特性

(V)

开关时间t（ NS ）

–10

= –5 V

–10 V

–25 V

= –2 A

–4

(V)

500

= –10 V, V

= –10 V

税

≤

1 %

200

100

漏源极电压

–20

–30

= –5 V

–10 V

–25 V

–8

栅极至源极电压

TD （关闭）

TD （上）

–12

–40

–16

–50

–20

–0.1 –0.2

–0.5

–1

–2

–5

–10

栅极电荷

QG （ NC ）

漏电流

(A)

Rev.3.00 2005年9月7日第4 6

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