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    2SJ484 参数 Datasheet PDF下载

    2SJ484图片预览
    型号： 2SJ484
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅P沟道MOS场效应晶体管 [Silicon P Channel MOS FET]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管
    文件页数/大小： 7 页 / 79 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号2SJ484的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SJ484的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SJ484的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SJ484的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SJ484的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SJ484的Datasheet PDF文件第7页  
    2SJ484
    主要特点
    功率与温度降额
    2.0
    最高安全工作区
    –10
    100
    µs
    –3
    –1
    P沟（W）的
    I
    D
    (A)
    测试条件：
    当使用铝陶瓷
    板（ 12.5
    ×
    20
    ×
    70 mm)
    1.5
    PW
    1
    =
    m
    s
    散热通道
    漏电流
    D
    C
    –0.3
    –0.1
    –0.03
    1.0
    O
    pe
    (1 10
    SH毫秒
    ot
    )
    ra
    0.5
    操作
    这个区域是
    限于由R
    DS （ ON）
    TIO
    n
    0
    0
    50
    100
    150
    200
    TA = 25°C
    –0.01
    –1
    –0.1 –0.3
    –3
    –10
    –30
    –100
    环境温度
    的Ta （℃）
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    典型的输出特性
    –5
    –10 V –6 V
    –4 V
    脉冲测试
    –5
    典型的传输特性
    V
    DS
    = –10 V
    脉冲测试
    I
    D
    (A)
    漏电流
    I
    D
    (A)
    –4
    –5 V
    –4.5 V
    –4
    –3.5 V
    –3
    –3
    漏电流
    –2
    –3 V
    –2
    –1
    V
    GS
    = –2.5 V
    0
    –2
    –4
    –6
    –8
    –10
    –1
    TC = 75℃
    25°C
    –25°C
    0
    0
    0
    –1
    –2
    –3
    –4
    –5
    漏源极电压
    V
    DS
    (V)
    栅极至源极电压
    V
    GS
    (V)
    漏极至源极饱和电压与
    栅极至源极电压
    漏极至源极导通电阻
    R
    DS （ ON）
    (Ω)
    漏极至源极饱和电压
    V
    DS （ ON）
    (V)
    –1.0
    脉冲测试
    静态漏极至源极通态电阻
    与漏电流
    2
    脉冲测试
    1
    –0.8
    –0.6
    0.5
    V
    GS
    = –4 V
    –10 V
    –0.4
    I
    D
    = –2 A
    –1 A
    –0.5 A
    –0.2
    0.2
    0
    0
    –4
    –8
    –12
    –16
    –20
    0.1
    –0.1 –0.2 –0.5 –1
    –2
    –5
    –10 –20
    栅极至源极电压
    V
    GS
    (V)
    漏电流
    I
    D
    (A)
    Rev.3.00 2005年9月7日第3页6

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