2SJ278 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SJ278
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内容描述：	硅P沟道MOS场效应晶体管 [Silicon P Channel MOS FET]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	7 页 / 78 K
品牌：	RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]

2SJ278

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

正向转移导纳主场迎战

漏电流

正向转移导纳| YFS | （ S）

静态漏极至源极通态电阻

DS （ ON）

(Ω)

2.0

脉冲测试

1.6

–0.5 A, –0.2 A

1.2

= –4 V

–1 A

0.8

–0.5 A, –0.2 A

–10 V

0.4

= –1 A

TC = -25°C

25°C

0.5

75°C

0.2

0.1

0.05

–0.01 –0.02

= –10 V

脉冲测试

–0.05 –0.1 –0.2

–0.5

–1

–40

120

160

外壳温度

TC （ ℃）

漏电流I

(A)

典型的电容比。

漏源极电压

1000

300

西塞

100

科斯

CRSS

体漏二极管的反向

恢复时间

500

反向恢复时间trr （ NS ）

100

的di / dt = 50A /

µs

= 0 ，税

≤

1 %

–0.5

–1

–2

电容C （PF ）

200

= 0

F = 1 MHz的

–10

–20

–30

–40

–50

–0.02 –0.05 –0.1 –0.2

反向漏电流

(A)

漏极至源极电压V

(V)

动态输入特性

开关特性

(V)

–20

–4

开关时间t（ NS ）

= –10 V

–25 V

–40 V

500

= –10 V, V

= –30 V

PW = 2

µs,

税

≤

1 %

200

100

TD （关闭）

漏源极电压

–40

= –10 V

–25 V

–40 V

= –1 A

–8

–12

–60

栅极至源极电压

TD （上）

–0.05 –0.1 –0.2

–80

–16

–100

–20

–0.01 –0.02

–0.5

–1

栅极电荷

QG （ NC ）

漏电流

(A)

Rev.2.00 2005年9月7日第4 6

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