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    2SJ278 参数 Datasheet PDF下载

    2SJ278图片预览
    型号： 2SJ278
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅P沟道MOS场效应晶体管 [Silicon P Channel MOS FET]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管
    文件页数/大小： 7 页 / 78 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号2SJ278的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SJ278的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SJ278的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SJ278的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SJ278的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SJ278的Datasheet PDF文件第7页  
    2SJ278
    主要特点
    功率与温度降额
    2.0
    最高安全工作区
    –5
    –3
    10
    µ
    s
    通道耗散P沟（W）的
    （在氧化铝陶瓷基板）
    I
    D
    (A)
    1.5
    –1
    –0.3
    )
    ot
    µ
    s
    sh
    0
    10毫秒秒（ 1
    n
    io
    m
    at
    1
    PW
    =
    10
    漏电流
    C
    D
    1.0
    r
    pe
    O
    –0.1
    –0.03
    –0.01
    操作
    这个区域是
    限于由R
    DS （ ON）
    0.5
    0
    0
    50
    100
    150
    200
    TA = 25°C
    –0.005
    –0.1 –0.3
    –1
    –3
    –10
    –30
    –100
    环境温度
    的Ta （℃）
    漏源极电压
    V
    DS
    (V)
    典型的输出特性
    –2.0
    –10 V
    –6 V
    –4 V
    –1.0
    脉冲测试
    –3 V
    典型的传输特性
    V
    DS
    = –10 V
    脉冲测试
    I
    D
    (A)
    –1.6
    I
    D
    (A)
    漏电流
    –0.8
    –1.2
    –0.6
    TC = 75℃
    –0.4
    25°C
    –0.2
    –25°C
    漏电流
    –0.8
    –2.5 V
    –0.4
    V
    GS
    = –2 V
    0
    0
    –2
    –4
    –6
    –8
    –10
    0
    0
    –1
    –2
    –3
    –4
    –5
    漏源极电压
    V
    DS
    (V)
    栅极至源极电压
    V
    GS
    (V)
    漏极至源极饱和电压V
    DS （ ON）
    (V)
    漏极至源极饱和电压与
    栅极至源极电压
    脉冲测试
    –0.8
    I
    D
    = –1 A
    静态漏极至源极通态电阻
    与漏电流
    漏极至源极导通电阻
    R
    DS （ ON）
    (Ω)
    5
    脉冲测试
    2
    1
    0.5
    V
    GS
    = –4 V
    –1.0
    –0.6
    –10 V
    –0.4
    –0.5 A
    0.2
    0.1
    0.05
    –0.05 –0.1 –0.2
    –0.2
    –0.2 A
    0
    0
    –2
    –4
    –6
    –8
    –10
    –0.5
    –1
    –2
    –5
    栅极至源极电压
    V
    GS
    (V)
    漏电流
    I
    D
    (A)
    Rev.2.00 2005年9月7日第3页6

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