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2SJ210 参数 Datasheet PDF下载

2SJ210图片预览
型号: 2SJ210
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内容描述: MOS场效应 [MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 7 页 / 337 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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2SJ210
电气特性(T
A
= 25°C)
特征
零栅极电压漏极电流
栅极漏电流
门放电截止电压
正向转移导纳
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS ( OFF )
| y
fs
|
R
DS(on)1
R
DS(on)2
测试条件
V
DS
=
−60
V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
m
20 V, V
DS
= 0 V
V
DS
=
−5.0
V,I
D
=
−1.0
µ
A
V
DS
=
−5.0
V,I
D
=
−10
mA
V
GS
=
−4.0
V,I
D
=
−10
mA
V
GS
=
−10
V,I
D
=
−10
mA
V
DS
=
−5.0
V
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
V
GS
=
−4.0
V ,R
G
= 10
V
DD
=
−5.0
V
I
D
=
−10
mA
分钟。
典型值。
马克斯。
−1.0
单位
µ
A
µ
A
V
mS
m
1.0
−1.4
20
−1.8
45
10
6
27
21
3
120
190
150
180
15
10
−2.4
漏极至源极导通电阻
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
<R>
脉冲
测试电路开关时间
D.U.T.
R
L
PG 。
R
G
V
DD
I
D
(−)
V
GS
(−)
0
τ
τ
= 1
µ
s
占空比
1%
I
D
电波表
V
GS
(−)
V
GS
电波表
0
10%
V
GS
90%
90%
90%
I
D
0 10%
10%
t
D(上)
t
on
t
r
t
D(关闭)
t
关闭
t
f
2
数据表D17906EJ3V0DS