数据表
MOS场效应
2SJ210
P沟道MOSFET
切换
该2SJ210 ， P沟道纵型MOSFET ，是一个开关
装置，它可以直接通过的集成电路具有的输出来驱动
5 V电源。
该2SJ210具有出色的开关特性，并
适合作为数字电路的高速开关装置。
封装图（单位：mm ）
2.8 ±0.2
0.4
–0.05
+0.1
1.5
0.65
–0.15
+0.1
特点
•
直接的IC具有5 V电源的输出驱动。
•
没有必要考虑由于其高的驱动电流
输入阻抗。
电阻器。
<R>
•
可以通过省略偏压，以减少部件的数量
2.9 ±0.2
0.95
2
3
1
0.4
+0.1
–0.05
0.95
记号
0.3
1.1至1.4
0.16
–0.06
+0.1
订购信息
产品型号
2SJ210
包
SC- 59 （小模）
标记： H16
绝对最大额定值（T
A
= 25°C)
漏源极电压（V
GS
= 0 V)
门源电压（V
DS
= 0 V)
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
记
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T
T
ch
T
英镑
−60
m20
m200
m400
200
150
−55
+150
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
等效电路
漏
0-0.1
1.源
2.门
3.排水
总功耗
通道温度
储存温度
记
PW
≤
10毫秒，占空比
≤
50%
<R>
门
门
保护
二极管
体
二极管
来源
备注
连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。
当此装置实际使用时，一个额外的保护电路由外部要求，如果电压超过
额定电压可以施加到该装置。
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
并非所有的产品和/或型号都向每个国家供应。请与NEC电子签
销售代表查询产品供应及其他信息。
一号文件D17906EJ3V0DS00 （第3版）
（上一页第TC- 2293A ）
发布日期2006年2月NS CP （ K）
日本印刷
1990
标记<R>表示主要修改点。
"场：修订部分可以通过在PDF文件中复制一个"<R>"和"Find指定它是什么很容易搜索到。
RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
