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2SC5594 参数 Datasheet PDF下载

2SC5594图片预览
型号: 2SC5594
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内容描述: NPN硅外延高频低噪声放大器 [Silicon NPN Epitaxial High Frequency Low Noise Amplifier]
分类和应用: 晶体放大器小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管
文件页数/大小: 8 页 / 90 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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2SC5594
S11参数与频率的关系
.8
.6
.4
3
.2
4
5
10
0
.2
.4
.6 .8 1
1.5 2
3 45
10
−10
−.2
−5
−4
−3
−.4
−.6
−.8
−1
−1.5
−2
−120°
−90°
180°
150°
30°
1
1.5
2
S21参数与频率的关系
90°
120°
规模: 10 /格。
60°
−150°
−30°
−60°
条件; V
CE
= 2 V,I
C
= 20毫安
100〜 2000兆赫( 100兆赫步骤)
条件; V
CE
= 2 V,I
C
= 20毫安
100〜 2000兆赫( 100兆赫步骤)
S12参数与频率的关系
90°
120°
S22参数与频率的关系
.8
.6
.4
3
1
1.5
2
规模: 0.02 / DIV 。
60°
150°
30°
.2
4
5
10
180°
0
.2
.4
.6 .8 1
1.5 2
3 45
10
−10
−.2
−150°
−30°
−.4
−120°
−60°
−90°
−.6
−.8
−1
−1.5
−2
−5
−4
−3
条件; V
CE
= 2 V,I
C
= 20毫安
100〜 2000兆赫( 100兆赫步骤)
条件; V
CE
= 2 V,I
C
= 20毫安
100〜 2000兆赫( 100兆赫步骤)
Rev.2.00 2005年8月10日第5页7