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2SC5594 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SC5594
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内容描述: NPN硅外延高频低噪声放大器 [Silicon NPN Epitaxial High Frequency Low Noise Amplifier]
分类和应用: 晶体放大器小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管
文件页数/大小: 8 页 / 90 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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2SC5594
主要特点
最大集电极耗散曲线
PC(毫瓦)
200
200
直流电流传输比主场迎战
集电极电流
集电极耗散功率
直流电流传输比
150
h
FE
100
100
V
CE
= 3 V
2V
1V
50
0
1
2
5
10
20
50
100
0
50
100
150
200
环境温度
的Ta (℃)
集电极电流
I
C
(MA )
(PF )
集电极输出电容与
集电极 - 基极电压
I
E
= 0
F = 1MHz的
增益带宽积主场迎战
集电极电流
(千兆赫)
f
T
50
1.0
C
ob
0.8
40
V
CE
= 3 V
2V
1V
集电极输出电容
增益带宽积
0.6
30
0.4
20
0.2
10
0
0.1
0
1
2
5
10
20
50
100
0.2
0.5
1
2
5
10
集电极 - 基极电压
V
CB
(V)
集电极电流
I
C
(MA )
功率增益与集电极电流
20
F = 1.8GHz的
V
CE
= 3 V
2V
1V
12
5
噪声系数与集电极电流
V
CE
= 1至3伏
PG( dB)的
NF( dB)的
16
4
F = 1.8GHz的
3
功率增益
8
噪声系数
2
5
10
20
50
100
2
4
1
0
1
0
1
2
5
10
20
50
100
集电极电流
I
C
(MA )
集电极电流
I
C
(MA )
Rev.2.00 2005年8月10日第3页7