2SB647 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SB647
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内容描述：	PNP硅外延 [Silicon PNP Epitaxial]
分类和应用：
文件页数/大小：	8 页 / 49 K
品牌：	RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]

2SB647 ， 2SB647A

最大集电极耗散

曲线

1.2

集电极耗散功率P

(W)

集电极电流I

(A)

典型的输出特性

–1.0

–0.8

–120

–10

–80

–60

–40

–30

–

–10

–5

–2

0.8

–0.6

–0.4

0.4

–0.2

= 0.

–1

–0.5mA

= 0

100

环境Tmperature TA（ ° C）

150

–2

–4

–6

–8

–10

集电极到发射极电压V

(V)

典型的传输特性

–500

直流电流传输比H

–200

集电极电流I

（MA ）

–100

= –5 V

脉冲

600

500

400

300

200

100

–1

直流电流传输比

与集电极电流

= –5 V

脉冲

TA = 7

–25

–50

–20

–10

–5

–2

–1

TA = 75℃

–25

–0.2 –0.4 –0.6 –0.8 –1.0

基极至发射极电压V

(V)

–3

–10 –30 –100 –300 –1,000

集电极电流I

（MA ）

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