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2SB647 参数 Datasheet PDF下载

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型号：	2SB647
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内容描述：	PNP硅外延 [Silicon PNP Epitaxial]
分类和应用：
文件页数/大小：	8 页 / 49 K
品牌：	RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]

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2SB647 ， 2SB647A

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

集电极耗散功率

结温

储存温度

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

i

C（峰值）

P

C

Tj

TSTG

2SB647

–120

–80

–5

–1

–2

0.9

150

-55到+150

2SB647A

–120

–100

–5

–1

–2

0.9

150

-55到+150

单位

V

V

V

A

A

W

°C

°C

电气特性

（ TA = 25°C ）

2SB647

项

收藏家基地

击穿电压

集电极到发射极

击穿电压

发射器基极击穿

电压

收藏家Cuto FF电流

直流电流传输比

符号最小值

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） EBO

I

CBO

h

FE1

*

1

h

FE2

集电极到发射极

饱和电压

基地发射极电压

增益带宽积

V

CE （ SAT ）

V

BE

f

T

典型值

2SB647A

最大最小

—

—

—

–10

320

—

–1

典型值

最大单位测试条件

—

—

—

–10

200

—

–1

V

V

V

V

µA

I

C

= –10

µA,

I

E

= 0

I

C

= -1毫安，R

BE

=

∞

I

E

= –10

µA,

I

C

= 0

V

CB

= -100 V，I

E

= 0

V

CE

= –5 V,

I

C

= -150毫安*

2

V

CE

= –5 V,

I

C

= -500毫安*

2

I

C

= -500毫安，

I

B

= -50毫安*

2

V

CE

= –5 V,

I

C

= -150毫安*

2

–120 —

–80

–5

—

60

30

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

140

20

–120 —

–100 —

–5

—

60

30

—

—

—

—

—

—

—

140

20

–1.5 —

—

—

—

—

–1.5 V

—

—

兆赫V

CE

= -5 V，I

C

= ± 150毫安

pF

V

CB

= -10 V，I

E

= 0

F = 1 MHz的

集电极输出电容科夫

注：1. 2SB647和2SB647A是用h分组

FE1

如下。

2.脉冲测试

B

2SB647

2SB647A

60至120

60至120

C

100至200

100至200

D

160到320

—

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