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2SB562 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SB562
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内容描述: PNP硅外延 [Silicon PNP Epitaxial]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 157 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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2SB562
主要特点
最大集电极耗散曲线
典型的输出特性
–1,000
集电极耗散功率P
C
(W)
1.2
集电极电流I
C
(MA )
–800
–8
–7
–6
–5
–4
–3
–2
P
C
=
9
0.
0.8
–600
W
–400
0.4
–200
= 1毫安
I
B
= 0
0
50
100
150
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
环境温度Ta (C )
集电极发射极电压V
CE
(V)
典型的传输特性
–1,000
直流电流传输比vs.Collector电流
3,000
直流电流传输比H
FE
集电极电流I
C
(MA )
–300
–100
–30
–10
–3
–1
V
CE
= –2 V
1,000
V
CE
= –2 V
脉冲
300
100
TA = 75℃
25°C
TA = 75℃
25°C
30
10
–1
0
–0.2
–0.4
–0.6
–0.8
–1.0
–3
–10
–30
–100
–300
–1,000
基极至发射极电压V
BE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
集电极到发射极饱和电压
与基极电流
–1.0
脉冲测试
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
–0.25
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
集电极到发射极饱和
电压与集电极电流
I
C
= -500毫安
–3
–0.20
I
C
= 10 I
B
脉冲测试
–0.8
–0.15
–0.6
–0.10
TA = 75℃
25°C
–0.4
–0.05
–0.2
0
–1
–3
–10
–30
–100 –300 –1,000
0
–1
= 800毫安
–10
–30
–100
集电极电流I
C
(MA )
基极电流I
B
(MA )
Rev.2.00 2005年8月10日第3页5