2SB562 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SB562
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内容描述：	PNP硅外延 [Silicon PNP Epitaxial]
分类和应用：
文件页数/大小：	6 页 / 157 K
品牌：	RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]

2SB562

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

集电极基极击穿电压

集电极到发射极击穿电压

发射极基极击穿电压

收藏家Cuto FF电流

直流电流传输比

集电极到发射极饱和电压

基地发射极电压

增益带宽积

集电极输出电容

注意：

符号

（ BR ） CBO

（ BR ） CEO

（ BR ） EBO

CBO

CE （ SAT ）

COB

民

–25

–20

–5

—

典型值

—

–0.2

–0.8

350

最大

—

–1.0

240

–0.5

–1.0

—

单位

µA

测试条件

= –10

µA,

= 0

= -1毫安，R

∞

= –10

µA,

= 0

= -20 V，I

= 0

= –2 V,

= -0.5 A（脉冲测试）

兆赫

= –0.8 A,

= -0.08 A（脉冲测试）

= –2 V,

= -0.5 A（脉冲测试）

= –2 V,

= -0.5 A（脉冲测试）

= -10 V，I

= 0

F = 1 MHz的

1. 2SB562用h分组

如下。

85至170

120至240

Rev.2.00 2005年8月10日第2页5

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