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2SK2225 参数 Datasheet PDF下载

2SK2225图片预览
型号: 2SK2225
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内容描述: 硅N沟道MOS FET [Silicon N Channel MOS FET]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 81 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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2SK2225
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
5
Reverse Drain Current I
DR
(A)
Pulse Test
4
3
2
1
10 V, 15 V
V
GS
= 0, –5 V
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
Source to Drain Voltage V
SD
(V)
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
Normalized Transient Thermal Impedance
γ
S
(t)
3
Tc = 25°C
1
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.05
θ
ch – c(t) =
γ
s (t) •
θ
ch – c
θ
ch – c = 2.50°C/W, Tc = 25°C
PDM
0.03
0.02
0.01
ho
1s
D=
PW
T
PW
T
u
tp
lse
0.01
10
µ
100
µ
1m
10 m
100 m
1
10
Pulse Width PW (s)
Switching Time Test Circuit
Vin Monitor
D.U.T.
R
L
V
DD
= 30 V
Vout
Monitor
Vin
Vout
Vin
10 V
50
10%
10%
Waveforms
90%
10%
90%
td(on)
90%
td(off)
tf
tr
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 5 of 6