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2SK1671 参数 Datasheet PDF下载

2SK1671图片预览
型号: 2SK1671
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内容描述: 硅N沟道MOS FET [Silicon N Channel MOS FET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管局域网
文件页数/大小: 7 页 / 83 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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2SK1671
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
50
Reverse Drain Current I
DR
(A)
Pulse Test
40
30
20
V
GS
= 10 V
10
0, –5 V
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
Source to Drain Voltage V
SD
(V)
Normalized Transient Thermal Impedance
γ
S
(t)
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
3
1.0
D=1
0.5
0.3
0.1
0.2
0.1
0.05
T
C
= 25°C
θch–c
(t) =
γ
S
(t)
• θch–c
θch–c
= 1.0°C/W, T
C
= 25°C
P
DM
PW
1
D = PW
T
0.02
0.03
0.01
10
µ
e
0.01
t Puls
ho
1S
T
1m
10 m
100 m
100
µ
10
Pulse Width PW (S)
Switching Time Test Circuit
Vin Monitor
Waveforms
90%
Vout Monitor
D.U.T
Vin
10%
10%
90%
t
d (on)
t
r
90%
t
d (off)
t
f
10%
R
L
50
Vin
10 V
Vout
V
DD
.
= 30 V
.
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 5 of 6