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2SK1405 参数 Datasheet PDF下载

2SK1405图片预览
型号: 2SK1405
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内容描述: 硅N沟道MOS FET [Silicon N Channel MOS FET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管局域网
文件页数/大小: 7 页 / 92 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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2SK1405  
Main Characteristics  
Power vs. Temperature Derating  
Maximum Safe Operation Area  
100  
30  
80  
60  
10  
3
1
40  
20  
0.3  
0.1  
0.03  
0.01  
Ta = 25°C  
0
50  
100  
150  
200  
1
3
10  
30  
100 300 1,000  
Case Temperature TC (°C)  
Drain to Source Voltage VDS (V)  
Typical Output Characteristics  
Typical Transfer Characteristics  
20  
20  
10 V  
6 V  
VDS = 10 V  
Pulse Test  
5 V  
16  
12  
8
16  
12  
8
Pulse Test  
4.5 V  
TC = 75°C  
25°C  
–25°C  
4
4
VGS = 4 V  
0
4
8
12  
16  
20  
0
2
4
6
8
10  
Drain to Source Voltage VDS (V)  
Gate to Source Voltage VGS (V)  
Drain to Source Saturation Voltage  
vs. Gate to Source Voltage  
Static Drain to Source on State  
Resistance vs. Drain Current  
10  
8
5
Pulse Test  
Pulse Test  
20 A  
2
1
6
0.5  
VGS = 10, 15 V  
4
10 A  
0.2  
0.1  
ID = 5 A  
2
0.05  
0
2
4
6
8
10  
1
2
5
10  
20  
50 100  
Gate to Source Voltage VGS (V)  
Drain Current ID (A)  
Rev.3.00 May 15, 2006 page 3 of 6